石墨烯具有大的比表面積、高的化學惰性以及優(yōu)異的阻隔性，被認為是已知最薄的防護材料，采用化學氣相沉積（CVD）法制備的石墨烯薄膜可直接用于金屬的腐蝕防護，逐漸成為制備石墨烯防護薄膜最主要的方法。但石墨烯薄膜在制備過程不可避免會引入空位、晶界等結(jié)構(gòu)缺陷，將其長時間暴露在空氣中，腐蝕介質(zhì)容易通過這些缺陷與基底金屬發(fā)生反應，且高導電的石墨烯薄膜將促進界面處的電化學反應進而加速基底金屬的腐蝕。

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